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TRANSISTOR IRF530
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TRANSISTOR IRF530

E-214
ELECTRONIC
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Descripción

Transistor Mosfet IRF530

Tensión de ruptura drenaje-fuente:  100 V

Tensión puerta-fuente, maxima:  ± 20 V

Resistencia maxima estado activo Drain-Source:  0,16 Ohm

Drenaje de corriente continua:  14 A

Carga total de la puerta:  30 nC

Disipación de energía: 79W

Rango de temperatura de unión de funcionamiento:  -55  a  +150  °C

Detalles del producto
ELECTRONIC
E-214
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