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TRANSISTOR 2N5551
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TRANSISTOR 2N5551

2N5551
ELECTRONIC
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Descripción

Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92

Transistor Bipolar BJT NPN de alto voltaje

Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general

IC: 600 mA max.

PD: 625 mW max.

VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.

hFE: 80 min. @ IC=1 mA, VCE=5 V

fT: 100 MHz mínimo

VCEsat: 0.2 V max. @ IC = 50 mA

Encapsulado: TO-92

Complementarios: 2N5400

Detalles del producto
ELECTRONIC
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